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Ampleon BLP0408H9S30G 30W LDMOS晶體管400-860MHz

發(fā)布時間：2025-10-22 09:20:19     瀏覽：254

　　Ampleon推出BLP0408H9S30G，一款30W 橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)驅(qū)動晶體管，專為廣播，ab類發(fā)射機(jī)和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。該器件在400 MHz至860 MHz頻率范圍內(nèi)工作，具有出色的堅(jiān)固性，使其成為數(shù)字和模擬發(fā)射機(jī)解決方案的理想選擇。

Ampleon BLP0408H9S30G 30W LDMOS晶體管400-860MHz

　　訂購信息：


Package nameOrderable part number12NCPacking descriptionMin.orderable
quantity (pieces)
TO-270-2G-1BLP0408H9S30GZ934960756515 TR13;500-fold;24mm;dry pack500 
BLP0408H9S30GXY934960756538 TR7;100-fold;24mm;dry pack100 


　　關(guān)鍵特性：

　　寬帶設(shè)計、高效率(ηD達(dá)62%)

　　集成雙面ESD保護(hù)、高功率增益(20.2 dB)

　　符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

　　性能參數(shù)

　　工作頻率：400–860 MHz

　　輸出功率：30 W

　　漏極電壓：50 V

　　靜態(tài)電流：60 mA

　　VSWR=30:1

　　封裝類型：TO-270-2G-1。

　　極限參數(shù)

　　漏源電壓(VDs)：最大108V。

　　柵源電壓(VGS)：-6V至+11V。

　　存儲溫度(Tstg)：-65℃至+150℃。

　　結(jié)溫(Tj)：最高225℃。

　　熱阻(Rth(j-c))：從結(jié)到外殼的熱阻為1.7K/W，測試條件為外殼溫度為80℃。

Ampleon是一家全球領(lǐng)先的射頻和功率半導(dǎo)體解決方案提供商，提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關(guān)、驅(qū)動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線，適用于4G LTE、5G NR基礎(chǔ)設(shè)施、廣播、工業(yè)等多個領(lǐng)域，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線，歡迎咨詢了解。

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