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SD11915 1200V SiC全橋功率模塊Solitron

發布時間：2025-09-04 08:51:09     瀏覽：4925

　　Solitron Devices, Inc.生產的SD11915是一款SiC(碳化硅)全橋功率模塊，具備1200V/50A的強勁性能，導通電阻低至32mΩ，大幅提升系統效率并降低損耗。其高速開關特性和優化的低寄生參數支持高頻應用，同時集成NTC溫度監控和創新的銅鉬底板散熱設計，確保高溫環境下的可靠運行。緊湊型封裝集成了全橋電路，節省空間且抗震性強，是新能源、電動汽車和工業電源等高效能應用的理想選擇。

SD11915 1200V SiC全橋功率模塊Solitron

　　電氣特性

　　最大漏源電壓(VDS)：1200V

　　最大連續漏極電流(ID)：50A(25°C時)

　　最大脈沖漏極電流(ID, pulse)：160A(脈沖寬度受限于最大結溫Tjmax)

　　最大功率損耗(PD)：176W

　　最大工作和存儲結溫(TJ, TSTG)：-55°C至+175°C

　　漏源導通電阻(RDS(on))：

　　25°C時為33mΩ(VGS = 15V, ID = 40A)

　　175°C時為46mΩ(VGS = 15V, ID = 40A)

　　溫度傳感器特性

　　電阻(R25)：25°C時為4.7kΩ

　　電阻公差(?R25/R25)：±5%

　　貝塔常數(B25/100)：4110K

　　貝塔公差(?B/B)：±3%

　　封裝尺寸

　　尺寸：1.457英寸(37.00mm)× 1.023英寸(26.00mm)× 0.910英寸(23.11mm)

　　安裝孔：提供多種安裝孔圖案，便于PCB安裝。

　　應用領域

　　電動汽車(EV)：用于牽引逆變器、車載充電器等。

　　可再生能源：太陽能逆變器、風力發電系統。

　　工業電源：高頻開關電源、電機驅動。

　　數據中心：高效電源模塊。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。

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