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Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現(xiàn)貨

發(fā)布時間:2025-04-17 09:31:20     瀏覽:3571

  Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是兩款高性能的寬帶射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),適用于多種射頻功率應用。

Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現(xiàn)貨

  產(chǎn)品概述

  型號:CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。

  功率:兩款晶體管均提供100 W的射頻功率。

  頻率范圍:覆蓋從直流(DC)到3.5 GHz的寬帶頻率范圍,適用于多種通信和雷達系統(tǒng)。

  應用場景:支持連續(xù)波(CW)和脈沖應用,適合高功率射頻信號的放大和傳輸。

  特點與優(yōu)勢

  高功率輸出:在1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率為100 W,能夠滿足高功率射頻應用的需求。

  高效率:在100 W輸出功率下,漏極效率典型值為57%,這意味著在高功率輸出時仍能保持較低的能耗。

  低熱阻:采用熱增強型封裝,能夠有效散熱,確保在高功率運行時的穩(wěn)定性和可靠性。

  高可靠性:具備出色的堅固性,能夠在復雜的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。

  寬帶操作:設計用于覆蓋從直流到3.5 GHz的頻率范圍,能夠滿足多種應用需求,如通信、雷達和測試設備等。

  符合環(huán)保標準:符合RoHS標準,符合環(huán)保要求。

  參數(shù)規(guī)格

參數(shù)符號條件最小值典型值/額定值最大值單位
頻率范圍frange-0-3500MHz
1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率PL(1dB)--100-W
漏源電壓VDS--50-V
輸出功率PL--118-W
功率增益GpPL = 100 W1415-dB
漏極效率ηDPL = 100 W5257-%
輸入回波損耗RLinPL = 100 W-12-10-8dB

Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商,提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關、驅動電路和功率控制器等在內的廣泛產(chǎn)品線,適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業(yè)等多個領域,深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線,歡迎咨詢了解。

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