Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現(xiàn)貨
發(fā)布時間:2025-04-17 09:31:20 瀏覽:3571
Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是兩款高性能的寬帶射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),適用于多種射頻功率應用。

產(chǎn)品概述
型號:CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。
功率:兩款晶體管均提供100 W的射頻功率。
頻率范圍:覆蓋從直流(DC)到3.5 GHz的寬帶頻率范圍,適用于多種通信和雷達系統(tǒng)。
應用場景:支持連續(xù)波(CW)和脈沖應用,適合高功率射頻信號的放大和傳輸。
特點與優(yōu)勢
高功率輸出:在1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率為100 W,能夠滿足高功率射頻應用的需求。
高效率:在100 W輸出功率下,漏極效率典型值為57%,這意味著在高功率輸出時仍能保持較低的能耗。
低熱阻:采用熱增強型封裝,能夠有效散熱,確保在高功率運行時的穩(wěn)定性和可靠性。
高可靠性:具備出色的堅固性,能夠在復雜的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。
寬帶操作:設計用于覆蓋從直流到3.5 GHz的頻率范圍,能夠滿足多種應用需求,如通信、雷達和測試設備等。
符合環(huán)保標準:符合RoHS標準,符合環(huán)保要求。
參數(shù)規(guī)格
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值/額定值 | 最大值 | 單位 |
| 頻率范圍 | frange | - | 0 | - | 3500 | MHz |
| 1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率 | PL(1dB) | - | - | 100 | - | W |
| 漏源電壓 | VDS | - | - | 50 | - | V |
| 輸出功率 | PL | - | - | 118 | - | W |
| 功率增益 | Gp | PL = 100 W | 14 | 15 | - | dB |
| 漏極效率 | ηD | PL = 100 W | 52 | 57 | - | % |
| 輸入回波損耗 | RLin | PL = 100 W | -12 | -10 | -8 | dB |
Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商,提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關、驅動電路和功率控制器等在內的廣泛產(chǎn)品線,適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業(yè)等多個領域,深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線,歡迎咨詢了解。
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