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Solitron Devices 2N2880軍標(biāo)級NPN功率晶體管

發(fā)布時間：2025-02-25 09:17:16     瀏覽：1436

　　2N2880是一款由Solitron Devices公司生產(chǎn)的NPN型功率晶體管，采用TO-59封裝形式。它具有低導(dǎo)通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅(qū)動需求等特點，廣泛應(yīng)用于高壓逆變器、轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器和線路驅(qū)動放大器等設(shè)備中。

Solitron Devices 2N2880軍標(biāo)級NPN功率晶體管

　　2. 主要特性

　　符合軍用標(biāo)準(zhǔn)：符合MIL-PRF-19500/315標(biāo)準(zhǔn)，適用于高可靠性應(yīng)用。

　　低導(dǎo)通電阻：降低功率損耗，提高效率。

　　低飽和電壓：在高電流下保持低電壓降。

　　高頻率響應(yīng)與快速切換：適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。

　　高電流增益：提供穩(wěn)定的電流放大能力。

　　安全工作區(qū)域：在高電壓和高電流條件下保持穩(wěn)定運行。

　　高頻應(yīng)用：適用于開關(guān)電源和高頻逆變器。

　　3. 電氣參數(shù)

參數(shù)符號最小值最大值單位
集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO-80Vdc
集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO-110Vdc
發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO-8Vdc
集電極-發(fā)射極截止電流ICEO-20μA
發(fā)射極-基極截止電流IEBO-0.2μA
正向電流傳輸比hFE40120-
集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)0.251.5Vdc
基極-發(fā)射極飽和電壓VBE(sat)-1.2Vdc
熱阻RθJC-3.33°C/W
輸出電容Cobo-150pF
脈沖上升時間tr-300ns
脈沖下降時間tf-300ns

　　4. 封裝與尺寸

　　封裝類型：TO-59

　　尺寸：2.29 mm*8.08 mm*11.10 mm(長*寬*高)

　　5. 應(yīng)用領(lǐng)域

　　2N2880適用于以下領(lǐng)域：

　　高壓逆變器：用于高效能量轉(zhuǎn)換。

　　開關(guān)電源：提供快速切換能力。

　　高頻轉(zhuǎn)換器：適用于高頻電路設(shè)計。

　　線路驅(qū)動放大器：用于高電壓放大應(yīng)用。

　　6. 訂購信息

　　2N2880提供多種訂購選項，包括：

　　JAN2N2880

　　JANTX2N2880

　　JANTXV2N2880

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