SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊
發(fā)布時(shí)間:2024-02-20 11:46:51 瀏覽:2133
Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊,以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢,具有獨(dú)特的穩(wěn)健、簡單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競爭模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度,同時(shí)通過引腳配置將環(huán)路電感降至最低,從而實(shí)現(xiàn)簡單的電源總線。

SD11906/07/56/57 是半橋配置,具有兩個(gè) 1200V、低電阻DS(開)13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有續(xù)流 1200V SiC 肖特基二極管,與模塊內(nèi)部的 MOSFET 并聯(lián)。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開,以簡化電路板布局。
該系列專為要求苛刻的應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如基于航空電子設(shè)備的機(jī)電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器。工作溫度為 -55°C 至 175°C,結(jié)構(gòu)包括銅基板和氮化鋁絕緣體,確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度傳感可在SD11906和SD11907上提供高水平的溫度保護(hù)。
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關(guān)性能,且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低,效率水平比硅更高,因此在打開和關(guān)閉階段需要的開關(guān)功率更高,所需的能量更少。結(jié)合高開關(guān)頻率,這意味著磁性元件更小,大大減輕了系統(tǒng)重量和尺寸。
相關(guān)產(chǎn)品推薦:
更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶體管,專為2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內(nèi)的烹飪、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有高效率、優(yōu)秀的堅(jiān)固性和寬帶操作能力,內(nèi)部輸入匹配,無需外部匹配網(wǎng)絡(luò),且符合RoHS合規(guī)性。在VDS = 50V,VGS = -5V,環(huán)境溫度25°C的類AB/類C應(yīng)用電路中,該晶體管在連續(xù)波(CW)條件下輸出功率為320W,增益為14dB,效率為74%;在CW脈沖條件下輸出功率為350W,增益為14dB,效率為75%。它采用SOT1214B無耳法蘭陶瓷封裝,具有良好的熱特性和電氣特性,適用于RF功率放大器。
?并行接口指的是選用并行傳輸方式數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)接口。從最簡單的并行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或ASIC芯片,如8255、6820,到更錯(cuò)綜復(fù)雜的SCSI或IDE并行接口,有幾十種。
在線留言