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　　Linear Systems推出的LSK489低噪聲、低電容雙N溝道JFET，專為所有(音頻和非音頻)低噪聲應用而設計。

　　LSK489 1.8nV、1K Hz、低電容、N溝道單片雙 JFET是超低噪聲雙 JFET 系列的一部分，專門設計用于為用戶提供性能更好、耗時更少且更便宜的解決方案，以獲得更緊密的 IDSS 匹配，以及與匹配單個 JFET 更好的熱跟蹤。

　　LSK489 采用表面貼裝和符合 ROHS 標準的封裝版本，是類似 JFET 的理想改進功能替代品，這些 JFET 在空間受限的音頻和儀器儀表應用電路中具有遠差的噪聲特性和柵極到漏極電容。“LSK489 為各種低噪聲應用提供了顯著提高的功能。”凌力爾特總裁兼首席執(zhí)行官John H. Hall表示。“能夠使用我們的 LSK389 構建低噪聲電路的設計人員將對 LSK489 能夠為他們做些什么印象深刻。”

　　Hall說，LSK489最重要的方面是它結合了幾乎與LSK389一樣低的噪聲水平，同時具有更低的柵極到漏極電容，4pF比25pF低得多。雖然 LSK389 在 1k 時提供低于 1nV 的超低噪聲，但電容足夠高，導致設計人員不得不使用共源共柵功能來處理更高的帶寬，而不會出現(xiàn)互調失真。

　　與LSK389(0.5納伏)相比，LSK489的噪聲略高，在大多數(shù)情況下并不顯著，而低得多的電容使設計人員能夠用更少的器件生產(chǎn)更簡單、更優(yōu)雅的電路設計，從而降低生產(chǎn)成本。雖然共源共柵是補償某些不良晶體管特性的有效技術，但使用它的缺點是電路噪聲較高。在共源共柵配置中，每個晶體管的噪聲被組合在一起。LSK489 ?的電容較低，因此在大多數(shù)電路設計中無需共源共柵配置。

　　與 Linear Systems LSK389 一樣，LSK489 采用獨特的設計結構，將兩個 JFET 交錯在同一片硅片上，以提供出色的匹配和熱跟蹤，以及具有幾乎零爆米花噪聲的低噪聲曲線。

　　LSK489 采用表面貼裝 SOIC-8、通孔 TO-71 封裝和更小的 SOT23-6 封裝。提供符合 ROHS 標準的無鉛版本。Linear Systems的?國內工廠庫存保證了較短的交貨時間，確保生產(chǎn)計劃不會中斷。

　　特征描述：

　　低噪聲(典型值為 1.8 nv/hz @ 1khz)

　　幾乎零爆米花噪音

　　IDSS 匹配度最大為 10%

　　低偏移/緊密匹配 (|Vgs1- Vgs2|= 20mV 最大值)

　　低電容 (CISS=4 pf)

　　高輸入阻抗

　　高擊穿電壓 (BVGSS = 40V Min)

　　低噪聲、減少器件數(shù)量，是經(jīng)典 (2) 雙 JFET 共源共柵配置的替代方案

　　Siliconix U401 系列和 Linear Systems 844 系列的改進替代品

　　表面貼裝 SOIC 版本和更小的 SOT23-6 封裝

　　提供符合 ROHS 標準的無鉛版本

　　應用：

　　麥克風放大器;

　　唱機前置放大器;

　　音頻放大器和前置放大器;

　　分立式低噪聲運算放大器;

　　電池供電的音頻前置放大器;

　　調音臺;

　　聲學傳感器;

　　聲波成像;

　　和儀表放大器;

　　寬帶差分放大器;

　　高速比較器;

　　阻抗轉換器

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