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　　Solitron Devices 推出 的SD11911 和 SD11912 1200V 碳化硅 (SiC) 電源模塊。兩款模塊均具有兩個獨(dú)立的大電流MOSFET。

　　Solitron 功率模塊采用獨(dú)特、堅固且經(jīng)濟(jì)高效的封裝形式，最大限度地發(fā)揮了 SiC 的優(yōu)勢。37mm x 25mm x 9mm 的外形尺寸和重量僅為競爭模塊的一小部分。集成格式可最大限度地提高功率密度，同時通過引腳配置將環(huán)路電感降至最低，從而實現(xiàn)簡單的電源總線。

　　SD11911 和 SD11912 提供兩種獨(dú)立的 MOSFET 配置。該SD11911包括兩個 1200V、超低 RDS(開)8.6mΩ SiC MOSFET，而SD11912有兩個 13mΩ MOSFET。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開，以簡化電路板布局。獨(dú)立輸出為定制配置提供了最大的靈活性，例如半橋、全橋、H 橋和許多其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。兩款器件均具有 120A 的連續(xù)漏極電流。兩個模塊都集成了一個NTC溫度傳感器。

　　SD11911 和 SD11912 專為要求苛刻的應(yīng)用而設(shè)計，例如基于航空電子設(shè)備的機(jī)電執(zhí)行器、工業(yè)高效電源轉(zhuǎn)換器/逆變器和電機(jī)驅(qū)動器。工作溫度為 -55°C 至 175°C，結(jié)構(gòu)包括銅基板和氮化鋁絕緣體，確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度檢測可實現(xiàn)高電平溫度保護(hù)。與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開關(guān)性能，并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗顯著降低，因此實現(xiàn)了比硅更高的效率水平，反向充電導(dǎo)致更多的開關(guān)功率和更少的能量在接通和關(guān)斷階段所需的能量。結(jié)合高開關(guān)頻率，這意味著更小的磁性元件，大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。

　　特點和優(yōu)點：

　　?優(yōu)異的系統(tǒng)效率，由于低開關(guān)和傳導(dǎo)損失的sic

　　?卓越的功率轉(zhuǎn)換效率在高頻操作

　　?高速開關(guān)w /低電容

　　?減少寄生電感和電容

　　?真正的開爾文源連接穩(wěn)定柵極驅(qū)動

　　?隔離的背面直接安裝到散熱器

　　?鋁基板和銅基板的導(dǎo)熱性

　　?高結(jié)溫操作

　　?低結(jié)殼熱阻

　　?降低熱需求和系統(tǒng)成本

　　?集成NTC溫度傳感器

　　?堅固的安裝由于集成安裝襯套

　　?低調(diào)緊湊的包裝

　　關(guān)于Solitron Devices

　　Solitron Devices 總部位于美國佛羅里達(dá)州西棕櫚灘，為需要極致性能和可靠性的系統(tǒng)制造功率半導(dǎo)體和集成電源解決方案。航空航天、國防、工業(yè)和航天領(lǐng)域的客戶依靠Solitron的創(chuàng)新產(chǎn)品來開發(fā)更小、更輕的重量;更高效率的系統(tǒng)級電源解決方案。

　　Solitron通過了 MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 認(rèn)證，提供各種標(biāo)準(zhǔn) QPL 雙極晶體管和 JFET。Solitron 的高功率多芯片模塊將最新的硅、碳化硅和氮化鎵與先進(jìn)的封裝材料相結(jié)合，以實現(xiàn)尖端的功率密度和性能。能力包括標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，提供行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量、服務(wù)和支持。 

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